NINH BA, Trung Quốc, 16/01/2024 /PRNewswire/ — Là một ngành phát triển dựa trên công nghệ, ngành quang điện đã trải qua nhiều vòng lặp công nghệ theo các nguyên tắc phát triển cơ bản không đổi là giảm chi phí và nâng cao hiệu suất. Về mặt kỹ thuật, khi hiệu suất của pin mặt trời loại p đạt đỉnh, pin mặt trời loại nđã trở thành xu hướng chủ đạo mới trong thời đại, tận dụng hiệu suất chuyển đổi cao hơn. Công nghệ dị hợp (HJT), là một trong những hướng đi chính cho pin mặt trời loại n, đã thu hút được sự chú ý rộng rãi với ưu điểm giảm chi phí rõ ràng và đáng kể.
Risen Energy, nhà tiên phong toàn cầu về các giải pháp năng lượng thông minh quang điện toàn diện, đã sớm nhận thức được sự thay đổi này và khởi xướng hoạt động nghiên cứu và phát triển công nghệ HJT vào năm 2019. Trong những năm qua, công ty đã đầu tư nguồn lực đáng kể vào hoạt động nghiên cứu và sản xuất hàng loạt công nghệ HJT, đảm bảo hai năm liên tiếp dẫn đầu toàn cầu về các lô hàng HJT và liên tiếp phá bốn kỷ lục thế giới về hiệu suất mô-đun HJT. Đồng thời, Risen Energy cũng đã tiến hành nghiên cứu chuyên sâu về một số yếu tố chính gây hạn chế việc giảm chi phí khi sản xuất hàng loạt quy mô lớn. Đến cuối năm 2022, công ty đã đạt được thành công trong việc phát triển và sản xuất hàng loạt các tấm wafer silicon siêu mỏng, công nghệ thanh cái bằng 0, lớp dán kim loại hóa có hàm lượng bạc thấp và công nghệ kết nối tế bào Siêu liên kết, đồng thời giới thiệu các sản phẩm HJT Hyper-ion 700Wp+ ra thị trường.
Để tiếp tục hỗ trợ việc giảm chi phí và sản xuất hàng loạt các sản phẩm HJT trong toàn ngành, Risen Energy đã tổng hợp những kinh nghiệm và bài học tích lũy được trong quá trình sản xuất hàng loạt HJT thành sách trắng cho toàn ngành. Vào tháng 8 năm 2023, công ty đã phát hành Sách trắng “Phát triển và ứng dụng công nghiệp bột nhão kim loại hóa có hàm lượng bạc thấp”, chia sẻ những hiểu biết sâu sắc về ứng dụng bột nhão kim loại hóa có hàm lượng bạc thấp. Lần này, Risen Energy sẵn sàng làm tiết lộ kiến thức chuyên môn của mình liên quan đến việc phát triển và ứng dụng công nghiệp cho các tấm wafer silicon siêu mỏng.
Như đã biết rộng rãi, tấm wafer silicon, bột nhão kim loại hóa và chi phí thiết bị chiếm hơn 90% tổng chi phí pin mặt trời HJT, trong đó chi phí tấm wafer silicon chiếm tới 55%. Do đó, rõ ràng việc giảm chi phí tấm wafer silicon là một trong những phương tiện chính để thúc đẩy sản xuất hàng loạt HJT và việc làm mỏng tấm wafer silicon chắc chắn là phương pháp trực tiếp và hiệu quả nhất được ngành công nhận. Risen đã đạt được tiến bộ đáng kể trong việc phát triển kỹ thuật và ứng dụng công nghiệp tấm wafer silicon siêu mỏng sau nhiều năm nghiên cứu và đầu tư. Hiện tại, Risen Energy đã đạt được mục tiêu sản xuất hàng loạt pin và mô-đun mặt trời sử dụng tấm wafer silicon siêu mỏng 110μm và có khả năng sản xuất tấm wafer có độ dày dưới 100 μm.
Thông qua việc phát hành sách trắng này, Risen Energy hy vọng sẽ chia sẻ kinh nghiệm và bài học của mình về ứng dụng và sản xuất hàng loạt tấm wafer silicon siêu mỏng, góp phần vào việc liên tục giảm chi phí và sản xuất hàng loạt các sản phẩm HJT trong ngành.
Để tìm hiểu thêm về sách trắng, vui lòng nhấp vào liên kết: https://en.risenenergy.com/uploads/20240115/Risen%E2%80%99s%20HJT%20Hyper-ion_A%20White%20Paper%20on%20Development%20and%20Industrial%20Application%20of%20Ultra-Thin%20Silicon%20Wafers_V2.3_20231220_ycw.pdf
SOURCE Risen Energy Co., Ltd
